RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3115
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link