RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3212
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link