RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3540
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link