RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3666
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link