RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1789
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link