RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2220
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link