RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3990
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link