RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3015
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link