RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3672
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link