RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
1505
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link