RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2608
2264
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link