RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
79
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3076
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link