RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
62
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2018
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link