RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
1964
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link