RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
50
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2326
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link