RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2974
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link