RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2699
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link