RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2424
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link