RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
76
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
76
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1624
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link