RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2370
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link