RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link