RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3379
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link