RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2475
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link