RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1740
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link