RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1650
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link