RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
69
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2532
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link