RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3423
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link