RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3587
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link