RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3398
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link