RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2731
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link