RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2246
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link