RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3610
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link