RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3521
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link