RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3159
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link