RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
60
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3091
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link