RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
4033
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link