RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
65
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1660
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link