RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3073
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link