RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
77
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link