RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2475
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Jinyu 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link