RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2899
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link