RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
24.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link