RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
77
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2362
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link