RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
77
Wokół strony -328% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3529
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link