RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2960
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link