RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3715
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link