RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2600
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link