RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3477
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link