RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
37
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3429
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link