RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2517
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link